第三代半导体产业数字化公共服务平台

武汉思波微智能科技有限公司新工厂开工装修仪式圆满举行，正式作为首批半导体设备研发制造企业入驻武汉芯光产业园。

固特杰IGBT散热器件项目共计划建设两条产线，目前在手订单2亿元，生产周期已排至明年3月。IGBT散热器件项目自今年2月起设备陆续进场，目前产线安装进度已完成50%，正处于调试阶段。项目计划明年1月正式投产，预计2026年年销售额可达3亿元。

北京康讯半导体完成数千万天使轮融资，加速第三代半导体芯片商业化落地

在这场技术竞逐中，氮化镓（GaN）功率器件被誉为“下一代功率半导体”，却因栅极可靠性不足、制造工艺尚不成熟等瓶颈，长期受限于中低功率领域，难以在千瓦级高密度电源系统中实现规模化落地。如今，这一僵局被来自德清的创新企业湖州镓奥科技有限公司打破。

三维半导体器件制造新路径！上海交大团队实现3D打印单晶硅突破

2025年度中国第三代半导体技术十大进展候选成果TOP30推介：万伏级SiC MOSFET器件的研制及其产业化技术

2025年度中国第三代半导体技术十大进展候选成果TOP30推介：全系列12英寸碳化硅衬底全球首发

在全球芯片供应紧张的大背景下，中国存储芯片企业正在积极作为，为保障全球供应链稳定发挥越来越重要的作用。国产DRAM龙头企业，长鑫科技近期在技术创新和产品研发方面取得了一系列突破性进展。

西安奕材（688783.SH）发布公告称，公司与武汉光谷半导体产业投资有限公司（简称光谷半导体产投）签署《奕斯伟武汉硅材料基地项目投资合作协议》，投资建设武汉硅材料基地项目。

原定于2025年12月6日至7日在珠海高新区香山会议中心举办的“2025大湾区化合物半导体应用生态大会”，因会议时间出现冲突，经过主办方慎重考虑，决定调整至2026年1月下旬召开，举办地点及其他核心安排不变。

「致能半导体」携手国际知名8英寸Fab完成8英寸蓝宝石基氮化镓功率器件量产落地。

融科科技半导体关键设备研发及智能制造总部项目位于吴中太湖新城横泾街道尧新路以东、东太湖路以北，总投资10亿元，用地约30.27亩，预计达产后可实现年产值15亿元。

由智新半导体有限公司牵头制定，遵循CASAS标准制定流程，经过标准起草小组会议讨论、广泛征求意见、委员会草案投票等流程，团体标准T/CASAS 041—2025《基于感性负载的SiC功率模块老化筛选试验方法》于2025年12月1日正式面向产业发布。

镓仁半导体获得A轮融资，深创投、余杭金控、华睿投资、方广资本、九智资本投资。

美国国会众议院近期提交《芯片设备质量、实用性和完整性保护法案》（Chip EQUIP Act），由参众两院两党联合推动。该法案并非新增技术限制，而是通过修订《芯片与科学法案》（CHIPS Act）的资金规则，为获联邦补贴的半导体项目划定设备采购边界，凸显美国对半导体产业链“资金安全”与“供应链自主”的双重关切。

闻泰科技关于安世半导体控制权争议及全球芯片产业链稳定的官方声明Wingtechs Official Statement on the Dispute over the Contr

11月27日，由陕西电子信息集团为投资主体建设的陕西电子芯业时代科技有限公司8英寸高性能特色工艺半导体生产线工作区内，自动化

源漏接触电阻是当前发展集成电路先进节点的最关键瓶颈。源漏接触电阻随晶体管尺寸持续缩小而急剧增大，严重影响器件功耗和互连延

按照第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASAS）相关管理办法，经CASAS管理委员会投票通过由上海临港车规半导体研究有限公司、复旦大学宁波研究院联合牵头提出的《碳化硅金属氧化物半导体功率器件（SiC MOSFET）高浓度硫化氢试验方法》团体标准立项建议，详细信息如下：

珠海英搏尔电气股份有限公司技术总工程师刘宏鑫将出席大会，并将在“论坛B：化合物半导体功率器件与应用论坛”上分享《第三代半导体在新能源汽车上的应用》的主题报告，敬请关注！