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林州市人民政府对河南赛米金石半导体有限公司年产5000万片超宽禁带晶圆级半导体散热片项目（一期）环境影响报告表受理情况进行公示。

半导体器件模组产业化项目总投资9亿元，由先导集团所属重庆先越光电科技有限公司实施，将助力万州补上至关重要的封装环节，打造从原材料金属镓到化合物半导体芯片到器件模组的完整产业链。

粤芯半导体技术股份有限公司目前已完成12英寸集成电路数模混合特色工艺生产线项目（四期项目）备案。

小米集团手机部与苏州能讯高能半导体有限公司、香港科技大学合作的论文成功入选，率先报道了应用于移动终端的高效率低压硅基氮化镓射频功率放大器，并在 GaN and III-V Integration for Next-Generation RF Devices 分会场首个亮相。

国际电工委员会（IEC）近日发布由我国牵头修订的两项功率半导体器件领域关键国际标准《半导体器件 第2部分：分立器件 整流二极管

氮化镓（GaN）材料具备禁带宽度大、临界击穿电场高、易于形成高迁移率二维电子气等特性，是实现高耐压、低损耗功率器件的理想半

鄂州市华容区红莲湖半导体产业园迎来项目建设密集落地节点——武汉星辰智能电子有限公司、湖北捷云电子科技有限公司、武汉华飞龙产业发展有限责任公司、武汉万芯达光电科技有限公司四家企业同日启动项目建设，总投资额合计达2.53亿元。

杭州镓仁半导体有限公司首席技术官夏宁在“超宽禁带半导体技术”带来了《大尺寸氧化镓单晶生长及缺陷》的主题报告。

苏州纳米所孙钱研究员团队成功研制出一种基于AlGaN/GaN异质结的硅基氮化镓“近无接入区”金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管（MIS-HEMT）器件，基于结构创新，在较为宽松的加工精度条件下，有效降低了膝点电压，并在低压应用中展现出卓越的直流与射频性能。

江苏超芯星半导体有限公司（Hypersics Co.,Ltd）成立于2019年4月，专注于第三代半导体碳化硅（SiC）衬底全产业链研发与生产，覆

苏州外延世电子材料有限公司二期半导体项目开工仪式隆重举行。

经过15个月的紧张施工，总投资约12亿元、建筑面积30余万平方米的池州经开区半导体特色生态产业园项目主体工程目前已完工，进入附属工程收尾阶段，计划于本月底交付使用。

据光谷动态消息，武汉光谷高新四路上的芯片厂，国内领先的半导体特色工艺12英寸晶圆代工企业武汉新芯集成电路股份有限公司，扩建

杭州镓仁半导体有限公司正式推出新品——“SCIENCE系列”科研级VB法长晶设备，专为2-6英寸氧化镓科研场景量身打造，以全自主核心技术助力科研工作者在长晶、掺杂、缺陷控制及材料性能优化等领域高效探索。

福建晶旭半导体科技有限公司首席科学家，中山大学教授王钢在“超宽禁带半导体技术”分会上带来了《硅衬底氧化镓异质外延生长及应用》的主题报告，分析了大尺寸硅基氧化镓外延、硅基氧化镓器件及应用等内容。

杭州镓仁半导体有限公司首席技术官夏宁在“超宽禁带半导体技术”带来了《大尺寸氧化镓单晶生长及缺陷》的主题报告。

江苏超芯星半导体有限公司（Hypersics Co.,Ltd）成立于2019年4月，专注于第三代半导体碳化硅（SiC）衬底全产业链研发与生产，覆

苏州宝士曼半导体设备有限公司总经理田天成带来了《有压纳米银烧结工艺量产应用实践与检讨》的主题报告，分享了相关研究最新进展及成果，包括有压微纳米银烧结工艺、烧结工艺中相关影响因素分析、量产工艺实践与检讨等内容。

HORIBA集团半导体事业部半导体量测产品经理熊洪武带来了《光致发光光谱技术在化合物半导体中的应用》的主题报告，分享了相关研究最新进展及成果，涉及化合物半导体及外延工艺、光致发光应用（PL光谱成像、PL强度成像 ）等内容。

广东工业大学、河北工业大学楚春双副教授、张勇辉教授、张紫辉教授课题组联合中国科学院半导体研究所刘乃鑫副研究员、闫建昌研究员课题组，在提升AlGaN基深紫外发光二极管（DUV LED）光提取效率、提高空穴注入效率、降低金属/p型半导体界面势垒方面取得重要突破。