第三代半导体产业数字化公共服务平台

国家第三代半导体技术创新中心（南京）牵头7家高等院校、科研院所和龙头企业共同组建的江苏省碳化硅电力电子技术创新联合体成功入选

江西南昌大力推动硅衬底发光二极管蓝光技术开发应用。

中科潞安作为深紫外一体化消毒杀菌解决方案供应商，一直致力于研发深紫外核心技术并开发深紫外中高端产品。

近日，北京市人力资源和社会保障局发布《北京市集成电路专业职称评价试行办法》，新增设集成电路专业职称，畅通集成电路专业技术

目前全球第三代半导体行业处于起步阶段，并正在加速发展。我国在第三代半导体领域进行了全产业链布局，各环节均涌现出具有国际竞争力的企业。

自8月首批沟槽型MOSFET器件晶圆下线以来，九峰山实验室持续攻克碳化硅工艺技术难关。近日，实验室在碳化硅超结领域取得新进展：

天岳先进12月11日发布投资者关系活动记录表，公司于2023年12月8日接受40家机构调研，机构类型为QFII、保险公司、其他、基金公司

近日，苏州中科重仪半导体材料有限公司（以下简称中科重仪）自主研发的应用于电力电子领域的大尺寸硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延

12月6日，博世与苏州工业园区签署扩大产业合作协议。博世自1999年布局苏州以来，持续加大投资力度。今年3月，博世投资10亿美元在

晶体管是三端电子器件，其发展的主要动力是由摩尔定律主宰的微缩技术：通过使晶体管尺寸越来越小，越来越多的晶体管可以被制造到

材料的更替是现代科技进步的根本推动力。作为第三代半导体材料，立方氮化硼（c-BN）具有仅次于金刚石的硬度，在高温下良好的化学

半导体材料是信息技术产业的基石，氧化镓（Ga2O3）是潜力新星超宽带隙材料，Ga2O3 是大功率、高效率、特高压器件的理想选择。也

未来显示产品形态多样，功能要求严格，具有高度集成潜力的Mini/Micro LED显示技术脱颖而出。MicroLED可用作光电探测器来接收外部

在现代化科技和能源管理理念支持下建立的全新电力系统，包括智能电网、新能源发电技术、电动车充电技术等方面的创新。与传统电力

碳化硅为代表的第三代宽禁带半导体具有诸多优势，碳化硅电力电子器件优异的高效、高压、高温和高频特性，使其在家用电器、电机节

随着技术的不断进步和应用领域的不断拓展，紫外LED的创新应用前景充满潜力，消毒和灭菌、固态照明、紫外光固化、生命科学和医学

期待已久的小米汽车终于来了，在最新一期工信部的申报信息中，我们看到了小米汽车首款车型的申报信息，从申报图来看，新车设计风

11月9日消息，技术密集型的华为又带来了全新的震撼新品，全新一代DriveONE 800V高压碳化硅黄金动力平台。其首发了行业内量产最高

日前，半导体设备制造企业特思迪完成B轮融资，本轮由临芯投资领投，北京市高精尖基金、尚颀资本、中金启辰、优山资本、芯微投资

9月6日，第三代半导体产业创新发展大会在南京市江宁开发区举行。国家第三代半导体技术创新中心（南京）一期项目竣工投产。国家第