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随着电力电子应用领域的不断扩大和需求的增长,绝缘栅双极型晶体管(简称IGBT)作为功率电子器件的核心之一,是能源变换与传输的

硅基氮化镓横向功率器件因其低比导通电阻、高电流密度、高击穿电压和高开关速度等特性,已成为下一代高密度电力系统的主流器件之

科学技术部党组成员、副部长相里斌在开幕致辞中表示,以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体具有优异性能,在新能源汽车、信息通讯、智能电网等领域有巨大的市场。科技部一直高度重视第三代半导体的技术创新和产业发展,从“十五”期间开始给予了长期持续支持,建立了从材料、器件到应用的第三代半导体全产业链创新能力。下一步还将与各地方沟通协作,加强统筹谋划和技术布局,加强人才培养,加强国际合作,推动产业链各环节有机衔接,强化以企业为主体、产学研用协同的创新生态。

5月30日,北京市人民政府印发《北京市加快建设具有全球影响力的人工智能创新策源地实施方案(2023-2025年)》。《实施方案》从突

在中关村论坛上,北京(国际)第三代半导体创新发展论坛举办,国联万众二期、晶格领域二期、特思迪半导体二期、铭镓半导体扩产项目等6个产业项目成功签约,预计总投资近18亿元。顺义,一个在全国具有较强影响力的第三代半导体产业集聚区初见雏形。

2023年经济复苏力度逐月加快,消费增速回升,制造业投资、基础设施投资均保持较高增速,经济发展逐步向高端制造转型,伴随着在新

据工信微报消息,中共中央政治局常委、国务院总理李强在北京市调研独角兽企业发展情况时表示,智能网联汽车作为大号终端,融合多

3 月 21 日晚,财富中文网公布了 2023 年中国最具影响力的 50 位商界领袖。过去一年,世界仍未完全摆脱新冠疫情的影响,地缘政治

高新科技领域是国家综合实力的体现,中国半导体市场正在获得前所未有的重视和发展机遇,而作为我国最大的功率半导体器件制造商之

在国家的大力扶持,和中芯企业的共同努力下,近段时间我国在高端芯片制造领域,也是迎来了不小的突破。

2月15日,星宇股份与地平线在常州签署战略合作协议,宣布将以车规级芯片+算法为核心底座,依托星宇在智能制造领域多年的经验积累

日前,北京市科委、中关村管委会等五部门联合印发了《北京市创新联合体组建工作指引》,支持组建一批领军企业牵头、高校院所支撑、各创新主体相互协同的创新联合体,面向高精尖产业需求开展关键核心技术、基础前沿技术联合攻关,助力北京国际科技创新中心和中关村世界领先科技园区建设。详情如下,一起来了解。

碳化硅作为一种宽禁带功率器件,受到人们越来越多的关注。碳化硅器件的高频、高压、耐高温、开关速度快、损耗低等特性,使电力电

开年国际第三代半导体盛会,凝心聚力再启新征程!第八届国际第三代半导体论坛(IFWS)第十九届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA

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核心提示:半导体产业网讯:12月28日,晶盛机电举行第25000台单晶炉下线发布仪式,标志着晶盛机电在单晶炉规模制造能力上达到全新高度。

近日,中国电科46所超宽禁带氮化铝单晶材料在成核模式控制、传质路径调控、应力抑制等关键核心技术方面取得重大突破,加速氮化铝

  据明报报道,香港政府昨公布《香港创新科技发展蓝图》,提出四大方向(见表)及八大重点策略,首次清晰列出冀引入「新能源汽

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