第三代半导体产业数字化公共服务平台

以增强欧洲在人工智能和半导体方面的能力，目标是到2027年筹集700亿欧元。

中国氧化镓衬底领域领先企业镓仁半导体与德国氧化镓外延头部企业NextGO.Epi 签署全球战略合作协议，双方将依托技术优势协同攻关，聚焦超宽禁带半导体材料氧化镓的研发与产业化，此次强强联合将共同推动氧化镓在新能源、电力电子等领域的应用突破，为全球半导体产业注入新动能。

致力于计算机体系结构创新的容芯致远就首次提出了全新的AGC智算架构——以GPU为中心重新设计AI计算机系统,打破传统AI计算面临成本、效率、灵活性的“不可能三角”难题,引发业界关注。

5月22-24日， “2025功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2025）”将于南京举办。北京国联万众半导体科技有限公司总经理助理王川宝将受邀出席论坛，并带来《SiC基GaN射频芯片与电力电子芯片技术》的大会报告，

4月23-25日，2025九峰山论坛（JFSC）暨化合物半导体产业博览会（CSE）在中国·武汉光谷科技会展中心盛大召开。会议汇聚两院院士、行业领袖、企业代表、专业观众等，聚焦第三代半导体材料、光电子技术、功率电子、异质集成等前沿领域，其中人工智能（AI）作为核心驱动力，贯穿多个技术分支。

广东省进一步激发市场主体活力加快建设现代化产业体系的若干措施》印发。

4月24日，芯片级金刚石封装基板制造总部项目签约落户江阴霞客湾科学城，为江阴加快培育新质生产力、增强集成电路产业发展支撑力

近日，致瞻科技与欧洲行业头部企业正式签署长期保障供货协议，凭借高可靠性碳化硅功率模块技术和液冷超充系统集成能力，成为该客

4月18日，国新办召开新闻发布会，介绍2025年一季度工业和信息化发展情况。记者从会上获悉，今年一季度，作为新质生产力的重要组

氮化镓（GaN）晶体作为第三代宽禁带半导体的代表性材料，具有带隙宽、击穿电压高、热导率高、抗辐射能力强等优异性能，在蓝绿激

总投资5100余万元建成后可助力龙游的半导体企业轻装上阵。近日，芯盟高等级功率半导体厂房竣工验收。4月9日上午，在芯盟高等级功

4月9日，浙江省2025年二季度重大项目集中开工活动盛大举行，54个重大项目总投资达2281亿元，为浙江经济高质量发展注入澎湃动力。

北京市经济和信息化局印发《北京市关于支持信息软件企业加强人工智能应用服务能力行动方案（2025年）》， 围绕人工智能+战略，推

在AR/VR设备加速向视网膜级显示进军的当下，Micro-LED技术悬崖悄然显现：外延材料与CMOS驱动的不匹配、微缩化带来的效率骤降、像

宽禁带半导体具有稳定的光电特性和高效的紫外光吸收能力，是紫外（UV）光电探测器的理想材料。然而，基于纯宽禁带半导体的光电探

2025年4月2日，由电子科技大学牵头起草的T/CASAS 052202X《非钳位感性负载开关应力下GaN HEMT在线测试方法》已形成委员会草案（C

力争实现下一代半导体日本国产化的Rapidus公司1日宣布，在北海道千岁市的工厂启动了试验生产线。在经过制造设备调试等流程后将正

天岳先进携全系12英寸碳化硅衬底产品矩阵震撼登场。其中，12英寸碳化硅光学片更是成为展会焦点，不仅展示了天岳先进的技术实力，也为AR虚拟显示领域带来了全新的解决方案。

新凯来宣布，已完成13类关键量检测产品开发，并在国内逻辑、存储和化合物的主要半导体制造企业开始量产应用。

近日，九峰山实验室科研团队在全球首次实现8英寸硅基氮极性氮化镓（N-polar GaNOI）高电子迁移率材料的制备。该成果将助力射频前