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9月27-29日，“2024南昌国际半导体光电技术与显示应用博览会暨第一届南昌国际半导体光电产业高质量发展论坛”将于江西南昌绿地博览中心举行。

9月27-29日，“2024南昌国际半导体光电技术与显示应用博览会暨第一届南昌国际半导体光电产业高质量发展论坛”（简称“博览会”）将于江西南昌绿地博览中心举行。

8月22日-23日，第四届紫外LED会议及长治LED产业发展大会在长治举办。会议期间，山西中科潞安紫外光电科技有限公司举办新品推介发布会，重磅推出了四款行业领先的深紫外LED产品。

2024年6月21日，硅能光电在广州黄埔科技企业加速器A2栋1楼盛大举行了“诺亚新启”新质生产力先进封装车间的投产庆典。

中国光谷5月20日消息显示，日前，武汉普赛斯电子股份有限公司（简称普赛斯电子）暨全资子公司武汉普赛斯仪表有限公司（简称普赛

国星光电（002449）5月15日发布投资者关系活动记录表，公司于2024年5月14日接受13家机构调研，机构类型为其他、基金公司、证券公

近日，电子科学与技术学院杨伟锋教授团队在第四代半导体氧化镓（-Ga2O3）外延生长技术和日盲光电探测器制备方面取得重要进展。相

长江日报大武汉客户端4月10日讯（记者李琴　通讯员张希为）正在中国光谷举行的2024九峰山论坛暨化合物半导体产业博览会上，九峰

全球首片8寸硅光薄膜铌酸锂光电集成晶圆下线，将尽快实现产业商用；破解太赫兹器件频率瓶颈，产品性能达国际前沿水平一手牵科研

​2024年4月8-11日，国内化合物半导体领域规模最大、规格最高的标杆性展会——2024九峰山论坛暨中国国际化合物半导体产业博览会将在武汉光谷科技会展中心举行。

3月16-17日，央视《东方时空》《朝闻天下》播出特别策划新质生产力在中国探访中国六大科创中心武汉篇，大篇幅聚焦光谷，以下为原

近日，山东大学物理学院有机光电子学团队在有机光伏器件光物理与载流子输运机制的研究中取得新进展，相关工作发表于Advanced Mat

深圳大学材料学院刘新科课题组成功在氮化镓单晶衬底上外延了具有p型导电特性的高质量连续的MoxRe1-xS2薄膜，制备了一个完全垂直的p-2D/GaN异质光电二极管。器件具有突出的光开关比（> 106）和极高的光探测率（6.13×1014），实现了紫外到可见、近红外区域的宽光谱检测。

据晶能光电官微消息，近日，江西省市场监督管理局批复同意由晶能光电牵头筹建江西省技术标准创新基地（硅衬底半导体照明），这是

成都辰显光电有限公司在2024年1月16日宣布，成功点亮了全球首款88英寸P0.5 前维护TFT基Micro-LED拼接屏，这一创新成果不仅代表了

通过一种低成本、易操作的热退火方法，实现了对PECVD法生长的Ga2O3薄膜的表面调控，并基于能带调控理论，探索了这种热重组工程对基于Ga2O3的MSM型电光探测器性能的具体影响，提出了可实现的表面改性方法，涉及宽带隙半导体Ga2O3的表面物理与光电物理的融合。

GaN微纳米器件涉及纳米线阵列LED、纳米线柔性LED、纳米线激光器、纳米线集成光波导等，由于难以实现纳米尺寸、空间密度、形貌、结构等的有效控制，限制了纳米材料和器件的发展和应用。报告介绍一种新型GaN微纳结构的制备方法、光电特性及其紫外探测器件。

香港中文大学（深圳）冀东介绍了GaN同质外延中的雪崩特性的最新研究进展，涉及GaN同质外延中雪崩击穿的表征、GaN同质外延中碰撞电离系数测量，以及功率器件和雪崩光电二极管的应用等。

中国科学院半导体所申报的项目“高性能钙钛矿半导体光电器件的载流子输运调控及缺陷钝化研究”荣获2022年度北京市自然科学奖一等奖

“低缺陷氮化铝材料制备关键技术及其深紫外光电器件”项目荣获吉林省技术发明一等奖。