活动时间：2021年09月13日 ~ 2021年09月14日

活动地点：江苏 南京 鼓楼 中山北路30号城市名人酒店

第三代半导体材料及其应用是全球半导体产业战略竞争新高地，目前我国正迎来发展第三代半导体的重要窗口期。功率半导体从原材料到设计、晶圆制造加工装备、封测，正加速实现全产业链国产化。虽然我国已发展成为全球第一大功率半导体市场，但国产自给率较低，行业仍存巨大供需缺口，国产替代将是未来重要的发展方向。

为了更好的把握时机推进产业的发展，打破功率半导体产业在材料与装备、芯片制造、封装模组、系统应用等环节产业化主要技术瓶颈，引领技术及市场风向，半导体产业网在南京大学电子科学与工程学院、第三代半导体产业技术创新战略联盟的指导下，定于2021年9月13-14日在南京召开“2021中国（南京）功率与射频半导体技术市场应用峰会（CASICON 2021）”。会议围绕碳化硅、氮化镓、砷化镓、氧化镓、金刚石等材料在电力电子、5G 射频领域的技术进展与创新应用，助推相关领域市场产品国产化替代，届时邀请行业众多技术及应用专家进行研究、分享、交流。诚挚欢迎各研究院所、高校、产业链企事业单位参与讨论。

会议时间：2021年9月13-14日 

会议地点：南京·城市名人酒店（江苏省南京市鼓楼区中山北路30号）

联系人：贾先生 18310277858，jiaxl@casmita.com

             张小姐 13681329411，zhangww@casmita.com

一、组织机构：

指导单位

南京大学
第三代半导体产业技术创新战略联盟

主办单位

半导体产业网

第三代半导体产业 公号

承办单位

北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司

赞助支持单位

蓝雨软件技术开发(上海)有限公司

爱发科商贸(上海)有限公司

宁波恒普真空技术有限公司

苏州晶湛半导体有限公司

青岛聚能创芯微电子有限公司

德仪国际贸易(上海)有限公司

大族激光显示与半导体装备事业部

上海翱晶半导体科技有限公司

上海智湖信息技术有限公司

芜湖启迪半导体有限公司

湖南国芯半导体科技有限公司

二、会议背景：

以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体材料，具备耐高温、耐高压、高频率、大功率、抗辐射等优异特性，因其在国防安全、智能制造、产业升级、节能减排等国家重大战略需求方面的重要作用，正成为世界各国竞争的技术制高点。但受工艺、成本等因素限制，多年来仅限于小范围应用。

近年来，随着材料生长、器件制备等技术的不断突破，第三代半导体的性价比优势逐渐显现并正在打开应用市场： SiC肖特基二极管器件开始应用于新能源汽车及高端电源市场，包括PFC、光伏逆变器和高端家电变频器等，GaN快速充电器也大量上市。未来5-10年是全球第三代半导体产业的加速发展期，基于第三代半导体材料的功率半导体器件将广泛应用于5G基站、新能源汽车、特高压、数据中心等场景，也是我国能否实现产业自主可控的关键期。

由于功率半导体器件在实现电能高效利用、节能减排、建设资源节约型社会方面发挥着不可替代的作用。国家各级政府纷纷出台政策护航产业发展，一批针对性扶持措施开始显效，将会不断推动功率半导体器件行业的技术进步，形成先进技术的自有知识产权，优化国产功率半导体器件的产品结构。

功率半导体的应用领域已从工业控制和消费电子拓展至新能源、轨道交通、智能电网、变频家电等诸多市场，市场规模呈现稳健增长态势。随着5G带来的万物互联及基地台、数据中心数量的迅速增长，以及汽车电子化程度的持续提升，带动功率半导体市场实现较快增长。

在新能源汽车应用以及PD快充市场爆发的强力带动下，2020年国内SiC、GaN电力电子器件市场规模较上年同比增长90%，未来5年将以45%的复合增长率增长至300亿。根据CASA Research第三代半导体产业发展报告（2020）表明：2020年我国第三代半导体电力电子与射频总产值已经超过100亿元 。SiC、GaN电力电子产值规模达44.7亿元，同比增长54%；GaN微波射频产值达到60.8亿元，同比增长80.3%。“十四五”科技计划中将建设“面向大数据中心应用的GaN基高效功率电子，应用于数据中心电源的GaN电力电子器件”提上日程，未来这个市场将迎来高速增长。

随着国内企业逐步突破行业内高端产品的核心技术，我国功率半导体器件对进口的依赖将会减弱，进口替代的市场机遇逐渐显现。功率半导体器件是国民经济中各行业发展的基础元器件，其技术进步和应用领域的拓宽既能够促进工业的产业结构升级，也为居民生活带来更多便利和舒适。

目前，第三代半导体材料及其应用是全球半导体产业战略竞争新高地，目前我国正迎来发展第三代半导体的重要窗口期。功率半导体从原材料到设计、晶圆制造加工装备、封测，几乎可以实现全产业链国产化。虽然我国已发展成为全球第一大功率半导体市场，但国产自给率较低，行业仍存巨大供需缺口，国产替代将是未来重要的发展方向。

为了更好的把握时机推进产业的发展，打破功率半导体产业在材料与装备、芯片制造、封装模组、系统应用等环节产业化主要技术瓶颈，引领技术及市场风向。半导体产业网在南京大学、第三代半导体产业技术创新战略联盟等单位的指导下，拟定于2021年在南京组织召开“2021功率与射频半导体技术市场应用峰会（CASICON 2021）” 邀请行业众多技术及应用专家进行研究、分享、交流。欢迎各研究院所、高校、产业链企事业单位参与讨论。

三、会议安排：

四、报告嘉宾&主题报告：

1、9月13日报告（陆续更新中）

嘉宾：于坤山--第三代半导体产业技术创新战略联盟秘书长

报告：中国功率与射频技术市场现状及未来展望
 

嘉宾：陈堂胜--中国电科首席科学家/微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室主任

报告：低温键合金刚石GaN HEMT微波功率器件
 

嘉宾：陈敦军--南京大学电子科学与工程学院副院长、教授

报告：GaN功率开关器件及其高频电源应用
 

嘉宾：刘斯扬--东南大学教授

报告：SiC功率MOSFET器件可靠性研究进展
 

嘉宾：龙世兵--中国科学技术大学微电子学院执行院长

报告：低成本高性能氧化镓半导体功率器件
 

嘉宾：Dr Simon Li--Founding director, Crosslight Software Inc and GaNPower Intl. Inc

报告：Pushing GaN power devices to the limit - A material and TCAD perspective
 

嘉宾：戴小平-湖南国芯科技总经理

报告：浅析SiC模块封装技术
 

嘉宾：Yuhao Zhang  美国弗吉尼亚理工大学电力电子系统中心助理研究员

报告：1.2-10 kV GaN Power Devices Exceeding SiC Limit
 

嘉宾：龚平--西安唐晶量子科技有限公司董事长

报告：6 inch GaAs 基 VCSEL 和 射频外延技术
 

嘉宾：纽应喜--启迪半导体研发总监

报告：碳化硅外延装备及技术进展
 

嘉宾：张 云--天津大学电气自动化与信息工程学院教授

报告：新能源汽车电力电子系统及其运行控制
 

2、9月14日报告（陆续更新中）

嘉宾：程新红--中科院上海微系统研究所研究员

报告：SOI基GaN材料及功率器件集成技术
 

嘉宾：邓小川--电子科技大学教授

报告：极端应力下碳化硅功率MOSFET的动态可靠性研究
 

嘉宾：张之梁--南京航空航天大学 教授

报告：1kV宽禁带LLC变换器控制与应用
 

嘉宾：惠  峰--云南锗业公司首席科学家/中科院半导体所研究员

报告：VCSEL用六英寸超低位错密度砷化镓单晶片研制及应用
 

嘉宾：陈 鹏--南京大学教授

报告：GaN肖特基功率器件新进展
 

嘉宾：Yuhao Zhang 美国弗吉尼亚理工大学电力电子系统中心助理教授

报告：Packaging Enabled Thermal Management of Ga2O3 Devices
 

嘉宾：倪炜江--安徽芯塔电子科技有限公司 总经理

报告：高性能高压碳化硅功率器件设计与技术
 

嘉宾：李 强--西安交通大学副教授

报告：基于HBN 的射频器件
 

嘉宾：吴 彤--安森美首席SiC 专家

报告：Adopt of SiC devices in EV applications
 

嘉宾：吴 亮--奥趋光电CEO

报告：AlN/AlScN材料制备技术及其在5GRFFE滤波及功率器件等领域应用前景展望
 

嘉宾：张保平--厦门大学电子科学与技术学院 副院长、教授

报告：氮化镓基VCSEL技术进展
 

嘉宾：蔚 翠--中电科第十三研究所研究员

报告：金刚石微波功率器件研究
 

嘉宾：左  超--爱发科商贸（上海）有限公司电子营业部部长

报告：量产高性能功率与射频器件的ULVAC装备技术
 

嘉宾：裴轶/Amgad Alsman--苏州能讯高能半导体有限公司技术副总裁/中国科学技术大学

报告：基于物理的5G射频GaN 晶体管模型、趋势和挑战
 

嘉宾：王祁玉--益丰电子副总经理

报告：射频器件（TBD）
 

嘉宾：袁 理--青岛聚能创芯微电子有限公司

报告：面向快充应用的GaN材料和器件技术
 

嘉宾：刘 雯--西交利物浦大学副教授

报告：硅基GaN MIS-HEMT 单片集成技术
 

嘉宾：黄润华--中电科五十五所副主任设计师

报告：碳化硅MOSFET技术问题及55所产品开发进展
 

嘉宾：英诺赛科科技股份有限公司

报告：八英寸硅基氮化镓技术进展（TBD）
 

嘉宾：叶建东--南京大学教授

报告：氧化镓基双极型异质结功率器件研究
 

嘉宾：彭 燕--南砂晶圆研发中心主任，山东大学副教授

报告：碳化硅与金刚石单晶衬底技术与产业化研究
 

嘉宾：叶念慈--三安集成技术市场总监

报告：（TBD）
 

嘉宾：童吉楚--乾照激光副总经理

报告：VCSEL 技术 (TBD)
 

嘉宾：向鹏博士--苏州晶湛半导体有限公司研发经理

报告：用于新型GaN功率器件的外延技术进展
 

嘉宾：杨学林--北京大学物理学院高级工程师

报告：Si衬底上GaN基电子材料外延生长技术研究进展
 

嘉宾：Yuhao Zhang  美国弗吉尼亚理工大学电力电子系统中心助理教授

报告：Ruggedness of SiC MOSFETs and GaN HEMTs in Overvoltage Switching
 

嘉宾：徐尉宗--南京大学研究员

报告：面向高可靠性、高能效应用的GaN HEMT增强型器件技术
 

嘉宾：郭宇锋--南京邮电大学副校长、教授

报告：Off-state Characterization of AlGaN/GaN HEMT via Artificial Neural Network
 

嘉宾：樊嘉杰--复旦大学青年研究员

报告：SiC功率器件先进封装材料及可靠性优化设计

更多报告嘉宾正在确认中！！！

拟参与单位：华为、中兴、南京大学、三安光电、东南大学、英诺赛科、锴威特、泰科天润、基本半导体、捷捷微电、中微公司、苏州纳维、厦门大学、南砂晶圆、瀚天天成、苏州晶湛、云南锗业、Crosslight、英飞凌、GaNPower、安森美、许继电气、中车时代、国家电网、中芯集成、华润微电子、南大光电、AIXTRON、中电科五十五所、中电科十三所 西安电子科技大学、江苏能华、西安交通大学、北京大学，电子科技大学，河北同光、山东天岳、天津大学、聚能创芯，赛微电子，南京百识，唐晶量子，天科合达，汉骅半导体，大族激光，德仪，江苏三代半研究院等

投稿 ：Oral或Poster ：500字左右扩展摘要提交到 1957340190@qq.com。

参会注册 ：注册费 2000元 （会议资料，招待晚宴，自助餐）

开户行：中国银行北京科技会展中心支行

账  号：336 356 029 261

名  称：北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司

参会/赞助/商务合作：
联系人：贾先生18310277858，jiaxl@casmita.com

             张小姐13681329411，zhangww@casmita.com

协议酒店：城市名人酒店（协议价400元，含早）
联 系 人：王玮18652978537，648231476@qq.com 

防疫提示：会务组最新咨询南京市卫健委并得到答复，目前南京市全域均为低风险区，进出南京不需要核酸检测证明，只要14天内未曾去过中高风险区和出入境经历，体温无异常情况下，均可持绿码进出南京参加会议。