近日，据“湖北新闻”透露，长飞先进武汉基地项目预计今年6月封顶，明年7月投产，达产后预计可年产36万片6英寸SiC晶片及外延片、年产6100万个功率器件模块。
据悉，2023年8月25日，武汉市东湖高新区管委会与长飞先进半导体签署了第三代半导体功率器件研发生产基地项目合作协议书。长飞先进第三代半导体功率器件研发生产基地项目总投资预计超过200亿元，其中项目一期总投资100亿元，可年产36万片SiC MOSFET晶圆，包括外延、器件设计、晶圆制造、封装等。
值得一提的是，2023年5月，长飞先进半导体明确提出“All in SiC-十年黄金赛道”的发展战略，全面发力SiC赛道。当年7月，长飞先进半导体SiC战略项目（KO）A样品达到预期设计目标，标志着长飞先进半导体拥有车规级SiC MOSFET产品自主研发能力。
据了解，长飞先进拥有完全自主知识产权的1200V Gen3 SiC MOSFET设计及工艺平台，15mohm产品比导通电阻（Ron，sp）已达3.4mΩ·cm2，跻身国际先进水平。除此之外，长飞先进基于该平台的主驱SiC MOSFET晶圆产品良率达80%。
2023年12月，长飞先进首颗自研产品1200V 20A SiC SBD正式进入试产阶段，标志着长飞先进已具备SiC产品自主研发及量产能力。