2024年1月16日消息，据国家知识产权局公告，华为技术有限公司申请一项名为“构件、晶体管器件、功率器件及制造构件的方法“，公开号CN117413365A，申请日期为2021年10月。
专利摘要显示，提供了一种构件，包括硅基衬底层[102]、过渡层[104]、氮化镓缓冲层[106]、第一氮化铝镓阻挡层[110A]、第一p掺杂氮化镓层[112A]，其中，氮化镓缓冲层的一部分形成第一氮化镓沟道层[108A]。所述构件还包括第二氮化镓沟道层[108B]、第二氮化铝镓阻挡层[110B]和第二p掺杂氮化镓层[112B]。所述第二p掺杂氮化镓层通过连接p掺杂氮化镓部分连接到所述第一p掺杂氮化镓层[120]。所述构件还包括栅极触点[114]、源极触点[116]和漏极触点[118]，其中，所述第一p掺杂氮化镓沟道层设置在所述源极触点与所述漏极触点之间。所述构件是一种半导体结构，其在不牺牲整体性能的情况下提高半导体器件的可靠性，并表现出增强的高压操作能力。