国家知识产权局信息显示，联华电子股份有限公司申请一项名为“半导体结构以及其形成方法”的专利，公开号CN 118900619 A，申请日期为2023年5月。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体结构以及其形成方法，其中该半导体结构包含多个MTJ(Magnetic tunnel junctions，磁性隧穿结) 元件，从一俯视图来看，多个MTJ元件排列成一阵列，至少一第二接触结构，位于MTJ元件所排成的阵列之中，至少一第一掩模层，覆盖于各MTJ元件的一顶面与两侧壁，其中从一剖面图来看，第一掩模层的一断面侧壁与第二接触结构下方的一第二金属层的一侧壁切齐。
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