2024年11月18-21日，第十届国际第三代半导体论坛（IFWS2024）&第二十一届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA2024）、先进半导体技术应用创新展（CASTAS）将在苏州国际博览中心G馆举办。
目前，“碳化硅衬底、外延生长及其相关设备技术分会”日程出炉，分会得到北京北方华创微电子装备有限公司、AIXTRON、中微半导体设备（上海）股份有限公司、苏州思体尔软件科技有限公司、国家第三代半导体技术创新中心（苏州）的协办支持。山东大学晶体材料国家重点实验室主任、新一代半导体材料研究院院长徐现刚，美国 PowerAmerica 执行董事兼CTO、ICSCRM 2024 大会主席、北卡罗莱纳州立大学教授 、IEEE宽禁带功率半导体技术路线图委员会(ITRW)主席Victor VELIADIS，瀚天天成电子科技(厦门)有限公司总经理冯淦将受邀联袂主持本届分会。
届时，韩国东义大学教授、釜山电力半导体研究所所长Won-Jae LEE，山东大学教授、南砂晶圆董事陈秀芳，北京北方华创微电子装备有限公司博士张轶铭，美国电力执行董事 & CTO、ICSCRM2024大会主席、北卡罗来纳州立大学教授、IEEE宽禁带功率半导体技术路线图委员会(ITRW)主席Victor VELIADIS，AIXTRON中国总经理方子文，浙江大学教授、浙江材孜科技有限公司董事长皮孝东，中微半导体设备（上海）股份有限公司工艺主任工程师陈丹莹，河北普兴电子科技股份有限公司市场总监张国良等来自国内外的实力派专家们将齐聚一堂，分享主题报告，聚焦探讨碳化硅衬底、外延生长及其相关设备技术的前沿趋势，敬请期待！
分会详细日程
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技术分会：碳化硅衬底、外延生长及其相关设备技术 Technical Sub-Forum：SiC Substrate & Epitaxial Growth and Equipment |
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时间：2024年11月20日08:50-11:55 地点：苏州国际博览中心G馆 • G103-104 Time: Nov 20, 08:50-11:55 Location: Suzhou International Expo Centre • G103-104 |
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协办支持 Co-organizer
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北京北方华创微电子装备有限公司 Beijing Naura Microelectronics Equipment Co., Ltd. AIXTRON 中微半导体设备（上海）股份有限公司 Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc. China 苏州思体尔软件科技有限公司 Suzhou STR Software Technology Co. Ltd. 国家第三代半导体技术创新中心（苏州） National Center of Technology Innovation for Wide Bandgap Semiconductors (Suzhou) |
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主持人 Moderator
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徐现刚/XU Xiangang 山东大学晶体材料国家重点实验室主任、新一代半导体材料研究院院长 Director of State Key Lab of Crystal Materials, Shandong University & Dean of Institute of Novel Semiconductors, Shandong University
Victor VELIADIS 美国 PowerAmerica 执行董事兼CTO、ICSCRM 2024 大会主席、北卡罗莱纳州立大学教授 、IEEE宽禁带功率半导体技术路线图委员会(ITRW)主席 Executive Director and CTO of PowerAmerica, Chair of ICSCRM 2024, Professor of North Carolina State University and Chair of ITRW ( IEEE Wide Bandgap Power Semiconductor Technology Roadmap Committee)
冯淦/FENG Gan 瀚天天成电子科技(厦门)有限公司总经理 GM of GM of Epiworld International Co., Ltd. |
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08:50-09:00 |
嘉宾致辞 & 合影 / Opening Address & Group Photo Shooting |
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09:00-09:20
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SiC单晶的坩埚结构及PVT生长工艺条件的改进SiC Single Crystals with Modification of Crucible Structure and Process Condition for PVT Growth Won-Jae LEE——韩国东义大学教授、釜山电力半导体研究所所长 Won-Jae LEE——Professor of Dong-Eui University, Director of Busan Power Semiconductor Lab. |
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09:20-09:40 |
碳化硅单晶缺陷研究及产业化进展 Research and Industrialization Progress of SiC Single Crystal Defects 陈秀芳——山东大学教授、南砂晶圆董事 CHEN Xiufang—— Professor of Shandong University, Chair of Guangzhou Summit Crystal Semiconductor Co.,Ltd |
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09:40-10:00 |
面向SiC功率器件的装备与工艺解决方案 NAURA Solutions for SiC Power Devices 张轶铭——北京北方华创微电子装备有限公司博士 Dr Zhang Yiming——Beijing NAURA Microelectronics Equipment Co.,Ltd |
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10:00-10:15 |
茶歇/Coffee Break |
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10:15-10:35 |
硅晶圆厂中的SiC制造 SiC Fabrication in a Silicon Fab Victor VELIADIS——美国电力执行董事 & CTO、ICSCRM2024大会主席、北卡罗来纳州立大学教授、IEEE宽禁带功率半导体技术路线图委员会(ITRW)主席 Victor VELIADIS——Executive Director and CTO of PowerAmerica, Chair of ICSCRM 2024, Professor of North Carolina State University and Chair of ITRW |
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10:35-10:55 |
化合物半导体外延大规模量产解决方案 High Volume Manufacturing of Compound Semiconductors Epitaxy 方子文——AIXTRON中国总经理 FANG Ziwen——GM of AIXTRON China |
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10:55-11:15 |
提拉式物理气相传输法制备碳化硅单晶 Single-crystal 4H silicon carbide grown with the method of pulling physical vapor transport 皮孝东——浙江大学教授、浙江材孜科技有限公司董事长 PI Xiaodong——Professor of Zhejiang University，President of Zhejiang IVSEMITEC Co.,Ltd |
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11:15-11:35 |
PRISMO PDS8 – 用于SiC功率器件外延生长的CVD设备 AMEC PRISMO PDS8 CVD System for Epitaxial Growth of SiC Power Device 陈丹莹——中微半导体设备（上海）股份有限公司工艺主任工程师 CHEN Danying——Process Chief engineer of Advanced Micro-fabrication Equipment Inc. (China) |
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11:35-11:55 |
大直径碳化硅外延市场发展与挑战 Large diameter SiC epitaxy market development and challenges 张国良——河北普兴电子科技股份有限公司市场总监 ZHANG Guoliang——Hebei Pushing Electronic Technology Co., LTD |
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11:55-14:00 |
午餐 / Lunch |
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