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为更好的推动国内功率半导体及集成电路学术及产业交流,在第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)指导下,中国科学院上海微系统与信息技术研究所、极智半导体产业网和第三代半导体产业将于2026年6月11-13日在上海联合主办,“2026功率半导体器件与集成电路会议(CSPSD 2026)”,会议内容将涵盖以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料、高压及低压等电力电子器件、功率集成电路、封装等几大主题,将覆盖晶圆制造、芯片设计及加工、模块封装、测试分析、EDA软件工具、设备制造、整机应用等产业链各环节。

12月25日,中国政府采购网公告显示,上海微电子装备(集团)股份有限公司中标步进扫描式光刻机项目,设备数量为1台,中标金额约1

据合肥新站区消息,12月25日,新美材料新站光学功能膜项目设备搬入仪式在合肥新站高新区举办。此次核心设备的搬入,标志着项目建

今年以来,华为、小米、苹果、三星等头部品牌密集推出智能手表/手环新品,拉动全球智能腕戴设备市场持续增长。根据国际数据公司

晶盛机电在碳化硅(SiC)核心装备领域取得重大突破,12英寸单片式碳化硅外延生长设备顺利交付全球头部SiC外延晶片生产商瀚天天成。

瑞驰机电激光设备研发生产基地项目在江宁开发区开工

据燕东微官微消息,日前,北京燕东微电子股份有限公司旗下北京电控集成电路制造有限责任公司12英寸集成电路生产线项目(以下简称

青禾晶元自主研发的SAB6310【全自动12英寸热压键合设备】已完成出厂检验,并成功交付国内某头部客户,正式导入其CIS先进封装产线。

玻璃基Micro-LED(COG-基于TFT背板的玻璃基 Micro-LED 技术)领军企业辰显光电与高端半导体装备制造商新益昌正式签订战略合作框架协议。

杭州镓仁半导体有限公司正式推出新品——“SCIENCE系列”科研级VB法长晶设备,专为2-6英寸氧化镓科研场景量身打造,以全自主核心技术助力科研工作者在长晶、掺杂、缺陷控制及材料性能优化等领域高效探索。

九峰山实验室与上海先普科技、上海振太仪表、合肥欣奕华、湖南德智新材、海普瑞(常州)五家设备及零部件企业集中签约,合作金额超500万元。此次合作标志着九峰山实验室国产化验证工作,已从设备和材料延伸至更为基础的关键零部件环节。

苏州宝士曼半导体设备有限公司总经理田天成带来了《有压纳米银烧结工艺量产应用实践与检讨》的主题报告,分享了相关研究最新进展及成果,包括有压微纳米银烧结工艺、烧结工艺中相关影响因素分析、量产工艺实践与检讨等内容。

武汉思波微智能科技有限公司新工厂开工装修仪式圆满举行,正式作为首批半导体设备研发制造企业入驻武汉芯光产业园。

固特杰IGBT散热器件项目共计划建设两条产线,目前在手订单2亿元,生产周期已排至明年3月。IGBT散热器件项目自今年2月起设备陆续进场,目前产线安装进度已完成50%,正处于调试阶段。项目计划明年1月正式投产,预计2026年年销售额可达3亿元。

融科科技半导体关键设备研发及智能制造总部项目位于吴中太湖新城横泾街道尧新路以东、东太湖路以北,总投资10亿元,用地约30.27亩,预计达产后可实现年产值15亿元。

美国国会众议院近期提交《芯片设备质量、实用性和完整性保护法案》(Chip EQUIP Act),由参众两院两党联合推动。该法案并非新增技术限制,而是通过修订《芯片与科学法案》(CHIPS Act)的资金规则,为获联邦补贴的半导体项目划定设备采购边界,凸显美国对半导体产业链“资金安全”与“供应链自主”的双重关切。

上海芯上微装科技股份有限公司(AMIES)再传捷报:公司自主研发的首台350nm步进光刻机(AST6200 )正式完成出厂调试与验收,启程发往客户现场,标志着我国在高端半导体光刻设备领域再次实现关键突破!

安森美在捷克建设首个8英寸碳化硅全链条工厂、12英寸光学级SiC光波导材料项目落地、中电科光电科技有限公司光电总部基地项目(一期)开工、伊帕思新材料AI高速覆铜板及封装载板基材项目签约、亿封智芯先进封装项目落地、湖北昕纳半导体清洗材料项目正式开工、国科天成成都总部基地封顶、红莲湖思亚诺芯片封装项目年内投运、易芯半导体超大尺寸先进半导体硅材料项目签约、拓荆科技高端半导体设备产业化基地落户沈阳、清溢光电南海基地投产、亚芯微电子义乌封装测试基地即将试产等项目公布新进展。

美议员拟提案:获《芯片法案》补贴厂商10年内禁止购买中国芯片设备!

10月28日,在内江高新区高铁片区,长川科技内江集成电路封测设备研发制造基地二期项目开工。二期项目投产后,将显著提升内江在半

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