第三代半导体产业数字化公共服务平台

诺天碳化硅半导体设备与基材生产基地项目投产仪式举行。

第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASAS）发布《三电平SiC MOSFET功率模块开关动态特性测试方法》和《半桥拓扑中SiC MOSFET开关损耗准确评估测试方法》两项标准立项通知。详情如下：

在近期落幕的第 37 届功率半导体器件与集成电路国际会议（IEEE ISPSD 2025）上，浙江大学电气工程学院电力电子器件实验室（PEDL）取得了令人瞩目的成绩。团队共有四篇论文被选为大会全体报告（Oral Session）。该核心报告数量在全球所有高校、研究机构和企业中位居第一，充分彰显了浙大 PEDL 团队在宽禁带功率半导体领域的卓越科研实力。

基本半导体（中山）有限公司（以下简称“中山基本”）成功竞得火炬高新区民众街道深中合作区22亩地块，这标志着中山首个碳化硅模块封装产线建设项目正式落户火炬高新区。

来自济南的半导体企业——山东天岳先进科技股份有限公司，凭借其在碳化硅衬底材料技术上取得的革命性突破，荣获由日本权威半导体媒体《电子器件产业新闻》颁发的“半导体电子材料”类金奖。这是中国企业在该奖项设立31年以来的首次问鼎

市场对高效、清洁和可持续能源解决方案的需求日益增长，这推动了功率半导体行业的发展，也要求人们更加关注先进材料。在各种先进

6月4日，中国领先的碳化硅(SiC)功率器件与IC解决方案供应商瞻芯电子，在第37届国际功率半导体器件和集成电路研讨会（ISPSD2025）

合盛硅业股份有限公司下属单位 宁波合盛新材料有限公司成功研发12英寸（300mm）导电型碳化硅（SiC）晶体，并启动切、磨、抛等加工技术的研究。

6月2日消息，据《日经新闻》近日报道，随着电动汽车市场增长放缓，以及中国碳化硅（SiC）厂商持续增产，导致了碳化硅市场供应过

随两大巨头退出碳化硅市场，环球晶、汉磊、嘉晶等中国台湾碳化硅厂竞争对手又少一家，新一波转单契机可期。

5月28日，位于湖北光谷科学岛的长飞先进武汉基地投产，其首片6英寸碳化硅晶圆下线。

据报道，日前 ，新加坡科技研究局（下简称A-STAR）推出全球首个工业级200毫米碳化硅开放研发生产线。A-STAR是新加坡政府下属的主

深圳基本半导体股份有限公司（简称“基本半导体”）递交上市申请

浙江瀚薪芯昊半导体有限公司在浙江丽水投资建设的“新建碳化硅封测建设项目”主体结构今日（5月27日）正式封顶。

碳化硅（SiC）芯片目前已在新能源汽车、雷达基站、5G通讯、智能电网等众多前沿领域展现出极为广阔的应用前景，成为推动这些行业

5月22-24日， “2025功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2025）”将于南京举办。东南大学副教授魏家行将受邀出席会议，并带来《碳化硅功率MOSFET关键技术新进展》的主题报告，报告将从产品结构、制造工艺、可靠性、典型应用等方面出发，介绍当下SiC功率MOSFET器件关键技术的最新进展，并对未来的发展趋势做出展望，敬请关注！

5月22-24日， “2025功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2025）”将于南京举办。复旦大学上海碳化硅中心副主任刘盼将受邀出席会议，并带来《1200V IGBT与SiC MOSFET的短路性能对比研究》的主题报告，将分享最新研究进展，敬请关注！

5月22-24日， “2025功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2025）”将于南京举办。北京智慧能源研究院功率半导体研究所测试研究室主任陈中圆将受邀出席论坛，并带来《基于正向压降表征的碳化硅MOSFET结温测量方法研究》的大会报告，分享最新研究成果，敬请关注！

英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）作为碳化硅（SiC）功率器件及SiC MOSFET沟槽栅技术的领导者，始终以卓越

近日，基本半导体正式推出新一代碳化硅MOSFET系列新品，产品性能进一步提升，封装形式更加丰富。首发规格包括面向车用主驱等领域