第三代半导体产业数字化公共服务平台

以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）等为代表的第三代先进半导体器件是全球智能、绿色、可持续发展的重要支撑力量，其在光电子，射频

2023年7月26-28日，2023功率与光电半导体器件设计及集成应用论坛将于西安召开。西安电子科技大学微电子学院在读博士研究生王逸飞

GaN基HEMTs因其在高压、大功率、高温等领域的应用前景而备受关注。由于GaN的宽禁带和高击穿场强，Gan基器件可以提供更快的开关速

据悉，近日，《科学通报》以《模块化局域元素供应技术批量制备12英寸过渡金属硫族化合物》为题，在线发表了松山湖材料实验室/北

2023年7月26-28日，2023功率与光电半导体器件设计及集成应用论坛将于西安召开。中国电子科技集团公司第十三研究所重点实验室副主

近几年新能源车的爆发，极大地促进了IGBT市场的发展。随着全球电动车的销量提升，新能源汽车的不断普及，对于充电桩的需求日益增

随着硅半导体材料主导的摩尔定律逐渐走向其物理极限，以第三代半导体为代表的化合物半导体满足光电子、微波射频和高效功率电子等

第三届紫外LED国际会议暨LED产业发展推进大会(中国长治)将于9月5-7日召开。本届论坛由长治市人民政府、中关村半导体照明工程研发

近日，中国电科43所活性金属钎焊（AMB）基板一体化封装先进工艺实现了电路、布线、封装等多项技术升级，相关技术指标达到国际先

第三代半导体产业技术战略联盟标准T/CASAS 021202X《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）阈值电压测试方法》已完

【超38亿元A轮股权融资创历史】近日，安徽长飞先进半导体有限公司正式宣布完成超38亿元A轮股权融资，融资规模创国内第三代半导体

随着电力电子应用领域的不断扩大和需求的增长，绝缘栅双极型晶体管（简称IGBT）作为功率电子器件的核心之一，是能源变换与传输的

近日，同济大学第四代半导体氧化镓材料项目落地江苏省无锡市高新区。据悉，同济大学第四代半导体氧化镓材料项目利用同济大学在晶

2023功率与光电半导体器件设计及集成应用论坛将于7月26-28日在西安召开。

7月19-21日，由江苏省工业和信息化厅、南京江北新区管理委员会主办的2023世界半导体大会暨南京国际半导体博览会，将亮相南京国际

2023年6月8日，元旭半导体天津生产基地开工活动于天津滨海高新区顺利举行。

近日，中国科大微电子学院两篇论文入选第35届功率半导体器件和集成电路国际会议（IEEE ISPSD，全称：IEEE International Symposi

绿色低碳发展、万物智能互联成为全球共识，第三代半导体是推动新能源汽车、智能电网、先进制造、移动通信、新型显示等产业创新发

第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲做《第三代半导体产业发展战略思考》主题综述报告。

科学技术部党组成员、副部长相里斌在开幕致辞中表示，以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体具有优异性能，在新能源汽车、信息通讯、智能电网等领域有巨大的市场。科技部一直高度重视第三代半导体的技术创新和产业发展，从“十五”期间开始给予了长期持续支持，建立了从材料、器件到应用的第三代半导体全产业链创新能力。下一步还将与各地方沟通协作，加强统筹谋划和技术布局，加强人才培养，加强国际合作，推动产业链各环节有机衔接，强化以企业为主体、产学研用协同的创新生态。