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“碳化硅功率器件及其封装技术 I”分会上，加拿大多伦多大学电气与计算机工程系教授吴伟东做了“SiC 功率 MOSFET老化检测智能栅极驱动器”的主题报告，分享了相关研究进展。

“碳化硅功率器件及其封装技术 I”分会上，专家们齐聚，共同探讨碳化硅功率器件及其封装技术的发展。

盛合晶微半导体有限公司三维多芯片集成封装项目J2C厂房顺利封顶，工程建设迈入新阶段。

”碳化硅功率器件及其封装技术 I“上，江苏博睿光电股份有限公司副总经理梁超做了”功率器件封装用的高性能AlN陶瓷基板及金属化技术“的主题报告。分享了面向功率器件封装用陶瓷基板的发展现况，以及博睿陶瓷基板研究进展等内容。

吉利车规级半导体封测二期项目、光电芯片封装项目、常州银芯微功率半导体工厂、荆门市首个半导体封测项目迎来新进展。

碳化硅功率器件及其封装技术分会日程出炉，聚焦前沿趋势，敬请期待！

晶盛机电（300316）11月4日发布投资者关系活动记录表，公司于2024年11月1日接受3家机构调研，机构类型为其他、海外机构。投资者

晶盛机电披露投资者关系活动记录表显示，公司在半导体设备领域积极布局大硅片制造、芯片制造、封装等设备的研发，并逐步实现 8-1

万泰智能功率模块生产线正式通线

近日，在广东省科技大会上，2023年度广东省科学技术奖获奖名单重磅发布。利亚德参与的微型架构半导体发光器件光热耦合设计与封装

国家知识产权局信息显示，汉斯半导体（江苏）有限公司取得一项名为一种 IGBT 模块封装外壳抛光装置的专利，授权公告号 CN 221871

由于先进封装可以大幅提高芯片良率、降低设计复杂度及减少芯片制造成本，已成为美日对华半导体竞争的最前沿。

国家知识产权局信息显示，苏州敏芯微电子技术股份有限公司申请一项名为力传感器的封装结构及其制造方法的专利，公开号 CN 118817

远山半导体提供的DFN封装形式的Gan HEMT器件实现了1200V高耐压，并且展现出了极低的界面电容和优良的热阻，极快的开关速度，同时克服了氮化镓器件容易发生的电流崩塌问题。测试结果显示各项性能指标均达到行业领先水平，意味着其产品在性能、质量和可靠性方面具备优势，有更强的市场竞争力。

国家知识产权局信息显示，广东气派科技有限公司申请一项名为一种 MOSFET 的封装结构的专利，公开号 CN 118763060 A，申请日期为

韩国埃珀特功率半导体晶圆研磨及封测项目、予秦半导体晶体材料研发及产业化项目、盛美半导体设备研发与制造中心、新洁能总部基地及产业化项目、铭方集成电路封装测试及产业化项目、奥东微波毫米波电子产业基地项目迎来新进展。

天眼查显示，江苏长电科技股份有限公司近日取得一项名为腔体式封装结构及封装方法的专利，授权公告号为CN112582350B，授权公告日

天眼查显示，西安和其光电科技股份有限公司近日取得一项名为用于光纤传感器封装的高精密多维调节对位系统及方法的专利，授权公告

天眼查显示，江苏长电科技股份有限公司近日取得一项名为腔体式封装结构及封装方法的专利，授权公告号为CN112582350B，授权公告日