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据先导科技集团官微消息,日前,由先导科技集团旗下先导光电子事业部牵头的安徽省科技创新攻坚计划-氮化镓蓝光装备的全链条国产

清华大学罗毅院士课题组与安徽格恩半导体有限公司合作,通过深入研究GaN同质外延过程中的位错控制、InGan/GaN多量子阱的应力调控以及腔面镀膜技术,制备了高效的GaN蓝光激光二极管。

“氮化镓射频电子器件与应用”技术分会上,香港科技大学高通光学实验室主任、教授、高武半导体(香港)有限公司创始人俞捷,小米通讯技术有限公司高级硬件研发工程师孙跃,中国科学技术大学微电子学院教授、安徽云塔电子科技有限公司创始人左成杰,西安电子科技大学教授薛军帅,深圳市汇芯通信技术有限公司、国家5G中高频器件创新中心副总经理、CTO许明伟,苏州能讯高能半导体有限公司研发总监张新川,中国科学院半导体研究所副研究员张连,九峰山实验室熊鑫,江南大学集成电路学院博士刘涛,中国科学院微电子研究所张国祥等嘉宾们带来精彩报告

国家知识产权局信息显示,安徽长飞先进半导体有限公司申请一项名为半导体器件的处理方法及半导体器件的专利,公开号CN 118888436

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