第三代半导体产业数字化公共服务平台

清华大学罗毅院士课题组与安徽格恩半导体有限公司合作，通过深入研究GaN同质外延过程中的位错控制、InGan/GaN多量子阱的应力调控以及腔面镀膜技术，制备了高效的GaN蓝光激光二极管。

半导体行业作为高新技术的代表，得到了国家政策的大力支持和各地政府的积极投资。

“氮化物衬底、外延生长及其相关设备技术”分会上，中国科学院半导体研究所副研究员、中科重仪半导体联合创始人姚威振做了”GaN基光电材料外延与MOCVD反应腔结构关联性研究“的主题报告，分享了MOCVD反应器结构对硅基GaN生长的影响，基于模型的应力与翘曲控制策略的研究进展与成果。

19-20日，九场技术分会，四场产业峰会，以及“强芯沙龙·会客厅”三大主题三场对话，火力全开，百余位专家分享精彩主题内容。

2024年度中国第三代半导体技术十大进展正式揭晓，以更好的把握行业前沿、凸显具有影响力和突破性的进展，为行业发展提供清晰视角，激励更多创新。

11月13日，据吴中发布消息，连日来，苏州市吴中区全力冲刺第四季度加力提速重点项目建设，其中涉及一个半导体项目宝士曼第三代半

端到端垂直整合，提升市场竞争力安森美在SiC领域有着深厚的历史积淀，是目前为数不多具有端到端垂直整合能力的大型SiC供应商，包

近日，闻泰科技半导体业务宣布与知名汽车供应商KOSTAL（科世达）建立战略合作伙伴关系，共同致力于开发和生产更符合汽车应用严苛

压力之下，闻泰科技如何在逆境中找到破局之道，不仅稳固了市场地位，更实现了业绩的飞跃？

国家知识产权局信息显示，苏州敏芯微电子技术股份有限公司申请一项名为力传感器的封装结构及其制造方法的专利，公开号 CN 118817

远山半导体提供的DFN封装形式的Gan HEMT器件实现了1200V高耐压，并且展现出了极低的界面电容和优良的热阻 ，极快的开关速度，同时克服了氮化镓器件容易发生的电流崩塌问题。测试结果显示各项性能指标均达到行业领先水平，意味着其产品在性能、质量和可靠性方面具备优势，有更强的市场竞争力。

如今，许多工业应用可以通过提高直流母线电压，在力求功率损耗最低的同时，向更高的功率水平过渡。为满足这一需求，全球功率系统

国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为接触孔自对准的MOSFET制造方法的专利，公开号 CN 11876299

PVT单晶生长设备、HVPE单晶生长设备、碳化硅高温氧化设备11年，11款产品。经过10多年的发展，山东力冠微电子装备有限公司已成为

晶盛机电在回答投资者提问时表示，是一家国内领先的专注于先进材料、先进装备的高新技术企业。在先进装备领域，公司光伏装备取得

总结并梳理了微电子器件领域经典的金属-绝缘体-半导体（MIS）结构在光解水制氢方向的交叉应用探索。

近日从山西转型综改示范区获悉，山西省大力实施的全产业链培育工程第三代半导体产业链强链工程之一山西华芯半导体晶体材料产业基

“智慧健康照明技术及应用”主题分会上，来自南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心（南昌实验室）、朗德万斯、江西省应用光学技术重点实验室、金鉴实验室、勤上光电、升谱光电、同方股份等实力派代表性企业机构的嘉宾们带来精彩报告

南昌光电博览会的”车用光电子技术及应用”主题分论坛上，来自天津工业大学、芯元基半导体、晶能光电、绿野汽车照明、中科潞安紫外光电、兆驰半导体等实力派专家企业们带来精彩报告

天眼查知识产权信息显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司申请一项名为一种提高可靠性能力的碳化硅二极管及其制备方法，公开号 CN2