2025年11月11-14日，第十一届国际第三代半导体论坛（IFWS）&第二十二届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）将于厦门召开。 届时，香港科技大学教授张薇葭将受邀出席论坛，并在Short course培训课程中分享《SiC功率MOSFET有源栅极驱动器综述》的主题报告，敬请关注！
嘉宾简介
张薇葭，分别于2012年、2015年和2019年获得不列颠哥伦比亚大学和多伦多大学电气工程学士、硕士和博士学位。2021年，加入位于科罗拉多斯普林斯的Analog Device Inc控制器IC设计小组，作为高级IC设计工程师，从事自动测试设备（ATE）应用的电源IC设计。她的学术生涯始于2025年香港科技大学电气工程系。研究兴趣广泛，从智能电源IC、电源管理IC、集成DC-DC转换器、智能栅极驱动器IC、人工智能辅助电源应用、封装和热管理、高级电源控制器。自2022年起担任IEEE ISPSD ICD轨道的技术委员会成员。
报告摘要
有源栅极驱动器（AGD）已成为一个有前景的领域，通过动态调节硬开关转换速率来提高功率MOSFET的效率和性能，实现效率和EMI抑制之间的校准权衡，并提供器件保护。报告将回顾碳化硅功率MOSFET的AGD拓扑结构，涵盖分段栅极驱动策略、转换速率调整技术和可靠性保护方案。将主要关注并联电力系统中的短路保护、电流平衡和热管理等主题。对每种方法的优点、局限性和应用进行了比较和分析。
