纳微半导体的高功率旗舰——第四代GaNSafe产品家族，集成了控制、驱动、感测以及关键的保护功能，使其在高功率应用中具备了前所未有的可靠性和鲁棒性。作为全球氮化镓功率芯片的安全巅峰，GaNSafe具有短路保护（最大延迟350ns）、所有引脚均有2kV HBM ESD保护、消除负栅极驱动并具备可编程的斜率控制。所有这些功能都可通过芯片4个引脚实现，使得封装可以像一个离散的氮化镓FET一样被处理，不需要额外的VCC引脚。

汽车电子委员会（AEC）制定的包括AEC-Q100和AEC-Q101在内的主流认证标准，分别针对汽车应用中使用的封装芯片和分立器件，进行基于失效机制的应力测试。纳微的GaNSafe™产品系列已通过这两项标准的认证，以确保纳微的分立功率氮化镓晶体管和集成的功率控制保护电路解决方案都能满足这些严格的规范要求。

为了支撑这一认证，纳微半导体编制了一份全面的可靠性报告，该报告分析了超过7年的生产和实际应用数据。报告展示了公司的业绩记录，以及产品在鲁棒性和可靠性方面的迭代和系列改进，确认了氮化镓功率芯片具备极高的可靠性并且非常适用于汽车领域。这份可靠性报告可供符合资质的客户查阅。

纳微最新的氮化镓（GaN）可靠性报告显示，过去七年产量持续攀升，已累计出货超过2.5亿颗，同时将现场失效率降至极具竞争力的十亿分之100（ppb)。

2025 年 3 月，纳微还推出了全球首款量产的650V双向GaNFast氮化镓功率芯片和与之配备的IsoFast驱动器，引发了电力电子领域的范式转变，使得从两级拓扑结构向单级拓扑结构的转变成为可能，从而进一步提高AC-DC和AC-AC转换的效率、功率密度和性能。这将使下一代单级车载充电器能够以更高效、超紧凑的解决方案实现双向充电，并省去体积庞大的电容器和输入电感器。

一家领先的电动汽车及光伏微逆制造商已开始采用单级BDS变换器以提升其系统效率、缩小尺寸并降低成本。搭载GaNFast™的单级变换器可实现高达10%的降本、20%的节能以及50%的体积缩减。