在刚落幕的重庆市第六届人民代表大会第三次会议上，重庆市政府工作报告回顾了2024年的经济发展成果：地区生产总值增长5.5%，固定资产投资提升4.5%，社会消费品零售总额增长7%，进出口总额提高5%。其中，西部（重庆）科学城的发展尤为引人关注。科学城聚焦数字经济、生命健康等前沿领域，初步构建了高附加值产业体系，大批高新技术企业的蓬勃发展正驱动全市经济实现新的增长。

在这一背景下，由重庆三安半导体与安意法半导体联合建设的重庆三安意法半导体项目成为焦点。该项目分为芯片厂和衬底厂两大部分，集碳化硅衬底、外延、芯片研发、制造与销售于一体，同时作为车规级功率芯片制造企业，也承担起为其提供碳化硅衬底材料的重要任务。

目前，该项目已达到“点亮”条件，按照现有推进速度，预计在2025年2月底实现通线投片生产，并有望在三季度末启动大批量生产。

项目概况与进展

整体规划与投资规模

重庆三安意法半导体项目总投资约300亿元，旨在构建涵盖衬底、外延、芯片全流程的一体化生产平台，打造全球最大的8英寸碳化硅垂直整合制造基地。达产后，项目预计年营收可达170亿元。

合资项目细节

合资部分总投资32亿美元（约228亿元），由重庆三安持股51%，安意法持股49%。规划达产后，合资公司将实现年产48万片8英寸车规级SiC MOSFET芯片的产能。自2024年7月启动设备安装调试以来，建设进度稳步推进，项目目前已进入“点亮”阶段。

生产与技术优势

项目建设的重点在于整合8英寸车规级碳化硅衬底、外延及芯片的研发制造，目标为全球新能源汽车及工业电力市场提供高性能SiC解决方案。目前，理想汽车、阳光电源等知名客户已被锁定，显示出项目在车规级芯片代工领域的重要战略意义。

未来发展前景

安意法的碳化硅战略以技术自主化、产能规模化和市场全球化为核心，通过全产业链垂直整合、与国际巨头合作以及政策与资本的支持，迅速抢占新能源汽车和能源革命带来的增量市场。预计2025年将成为8英寸产能释放的关键节点，而到2028年合资项目全面达产后，公司有望跻身全球碳化硅第一梯队，成为国产替代与全球竞争的双重标杆。

附：项目主要数据

项目地点：重庆西部（重庆）科学城建设内容：集衬底、外延、芯片全流程制造于一体总投资额：300亿元合资投资：32亿美元（约228亿元），三安持股51%，意法持股49%规划产能：年产48万片8英寸车规级SiC MOSFET芯片建设进度：2024年7月启动设备安装调试，2025年2月底实现通线投片，三季度末大批量生产就业效益：项目将为当地高新技术产业发展注入强劲动力 

（来源：半导体信息）