中国自然资源部10日公布中国新发现的高纯石英矿相关情况。自然资源部当日发布《新发现矿种公告》。公告显示,新发现矿种为高纯石
SEMI(国际半导体产业协会)最新发布的报告数据显示,全球半导体制造设备销售额将从2023年的1063亿美元增长10%,到2024年将达到1
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在AR/VR设备加速向视网膜级显示进军的当下,Micro-LED技术悬崖悄然显现:外延材料与CMOS驱动的不匹配、微缩化带来的效率骤降、像
2025年4月23-25日,第三届九峰山论坛(JFSC)暨化合物半导体产业博览会(CSE)将在武汉光谷科技会展中心盛大启幕。平行论坛7 精彩议题抢先看
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国家知识产权局信息显示,黑龙江汇芯半导体有限公司申请一项名为一种集成有SiC功率器件短路保护的智能功率模块的专利,公开号CN
国家知识产权局信息显示,江西誉鸿锦材料科技有限公司取得一项名为种亚垂直结构氮化镓肖特基势垒二极管及其制造方法的专利,授权
天岳先进携全系12英寸碳化硅衬底产品矩阵震撼登场。其中,12英寸碳化硅光学片更是成为展会焦点,不仅展示了天岳先进的技术实力,也为AR虚拟显示领域带来了全新的解决方案。
国家知识产权局信息显示,苏州无热芯阳半导体有限公司申请一项名为一种新型衬底及其氧化物半导体场效应晶体管的专利,公开号 CN
国家知识产权局信息显示,镓特半导体科技(铜陵)有限公司取得一项名为一种HVPE大尺寸氮化镓晶圆镓舟反应器的专利,授权公告号CN
国家知识产权局信息显示,北京天科合达半导体股份有限公司申请一项名为一种在坩埚内部放置石墨件来提升碳化硅粉料利用率的方法的
2025年3月20日,上海御微半导体有限公司金桥研发制造基地举行启动仪式。御微半导体官方消息显示,在过去的六年里,产品订单屡创
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专利摘要显示,本发明涉及 一种 8 英寸碳化硅晶圆单 面抛光方法,采用半径小 于 8 英寸的陶瓷盘对 8 英 寸碳化硅晶圆进行单面 抛
国家知识产权局信息显示,安徽格恩半导体有限公司申请一项名为一种氮化镓基化合物半导体激光器的专利,公开号CN 119627617 A,申
国家知识产权局信息显示,上海光通信有限公司申请一项名为半导体结构的制备方法及半导体结构的专利,公开号 CN 119626900 A,申
天眼查显示,泰科天润半导体科技(北京)有限公司一种高可靠平面栅碳化硅VDMOS及其制备方法专利公布,申请公布日为2025年2月14日
日本经济产业省监管的政府与民间合作企业INCJ披露,已通过市场出售其持有的日本显示公司(JDI)全部股份,亏损1547亿日元(10.5亿美元)。
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