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11月11-14日，第十一届国际第三代半导体论坛（IFWS）&第二十二届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）将于厦门召开。 届时，浙江航芯源集成电路科技有限公司/研发总监吕晓峰将受邀出席论坛，并带来《功率氮化镓器件在宇航电源领域的机遇与挑战》的主题报告，敬请关注！

天成半导体官微宣布，继第二季度研制出12英寸N型碳化硅单晶材料后，又依托自主研发的12英寸碳化硅长晶设备成功研制出12英寸高纯半绝缘碳化硅单晶材料，12英寸N型碳化硅单晶材料晶体有效厚度突破35㎜厚。

11月11-14日，IFWS&SSLCHINA2025将于厦门召开。 届时，山东大学集成电路学院教授刘超将受邀出席论坛，并在Short course培训课程中分享《垂直氮化物功率器件》的主题报告，全面介绍基于垂直氮化镓和氮化铝镓的功率器件最新研发进展。敬请关注！

无锡吴中高新项目建设接连刷新进度条三环集团华东区研发制造总部项目即将竣工备案。

中国科学院半导体研究所郑婉华院士团队在《激光与光子学评论》（Laser & Photonics Reviews）发表一项创新成果，成功观测到基于离域化拓扑边界态的自组织激射现象，实现了大规模高相干激光出射

近日，中国科学院半导体研究所宽禁带半导体研发中心王军喜、魏同波研究员团队，与复旦大学沈超研究员、沙特国王科技大学李晓航副教授合作，制备出氮化物片上日盲光通信集成器件，并搭建了可以实时传输视频信号的片上光通信集成系统。

近日，黑龙江省工业和信息化厅正式公布《 2025年黑龙江省首台（套）产品奖励及保险补偿政策拟支持名单公示》，我司自主研发的碳

小米科技创始人雷军在“2025年雷军年度演讲”中宣布，小米将坚定不移地投入芯片自研领域，计划在未来十年内至少投入五百亿元人民币用于手机SoC（系统级芯片）的研发。

9月19日，中微半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称中微公司，股票代码：688012）今日于广州市增城经济技术开发区隆重举办

9月26-28日，“2025新一代半导体晶体材料技术及应用大会”将于云南昆明举办。届时，江苏第三代半导体研究院/国家第三代半导体技术创新中心（苏州）异质集成先进技术研发中心梁剑波将受邀出席论坛，并带来《GaAs与Si及GaN的常温异质接合研究》的主题报告，敬请关注！

北京晶飞半导体科技有限公司在碳化硅晶圆加工技术领域取得重大突破，成功利用自主研发的激光剥离设备实现了12英寸碳化硅晶圆的剥离。

根据国际器件和系统路线图（IRDS2023），在集成电路逻辑技术领域，互补场效晶体管（CFET）是继FinFET和水平GAA之后的下一代晶体

据鄂州融媒消息，8月16日，投资5亿元的鄂州鑫瑞阳半导体激光器生产制造项目正式开工。该项目聚焦光学元器件研发和设计，突破关键

2025年8月27-29日，“第五届紫外LED大会暨长治LED产业发展座谈会”将于山西长治举办。本届会议由长治市人民政府与中关村半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）共同主办。

据璞璘科技官微消息，8月1日，璞璘科技自主设计研发的首台PL-SR系列喷墨步进式纳米压印设备顺利通过验收并交付至国内特色工艺客

近日，晶镁半导体高端光罩项目正式落户合肥高新区，该项目规划总投资120亿元，主要从事28nm及以上半导体光罩的研发、生产和销售

山西天成半导体材料有限公司成功研制出12英寸（300mm）N型碳化硅单晶材料。

晶越半导体继2025年上半年成功量产8英寸碳化硅衬底后，公司持续投入并不断加大研发力度，并在热场设计、籽晶粘接、厚度提升以及

近日，迈为股份自主研发的全自动晶圆级混合键合设备成功交付国内新客户，这是公司在半导体领域达成的又一重要合作。该设备凭借高

第五届紫外LED大会暨长治LED产业发展座谈会将于8月27-29日在山西长治滨湖国际大酒店举办。本届会议由长治市人民政府与中关村半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）共同主办。